太赫兹光电导天线 低温砷化镓天线 太赫兹天线发射器

太赫兹光电导天线 低温砷化镓天线 太赫兹天线发射器自由空间的太赫兹发射器由一个光电导天线和高阻硅透镜封装而成。我们通常使用低温生产的GaAs（LT-GaAs）或者GaBiAs作为光电导材料。不同的光电导材料适用于不同的激发波长。
太赫兹发射器参数规格 LT-GaAs天线GaBiAs天线激发功率：<50mW, 典型值30mW激发功率：<50mW偏置电压：<50V, 典型值40V偏置电压：<40V集成高阻硅透镜集成高阻硅透镜激发波长：800±40nm激发波长：1050±40nm封装XY二维调节架，调节范围±3mm封装XY二维调节架，调节范围±3mm

  自由空间太赫兹探测器（太赫兹光电导天线）   
 太赫兹探测器参数规格 LT-GaAs天线GaBiAs天线激发功率：<50mW激发功率：<25集成预放大器集成预放大器集成高阻硅透镜集成高阻硅透镜探测太赫兹带宽：5THz@100fs激光脉宽探测太赫兹带宽：5THz@70fs激光脉宽太赫兹频谱峰值位置：400GHz太赫兹频谱峰值位置：400GHz激发波长：800±40nm激发波长：1050±40nm封装XY二维调节架，调节范围±3mm封装XY二维调节架，调节范围±3mm